存储器市场概览

从市场规模来看，当下最主流的存储器是DRAM，Nand Flash和NOR Flash，这三者占据了所有半导体存储器规模的95%左右，尤其是前两者，占总量约9成，市场规模均在数百亿美元。
   
其中DRAM 2018年的市场规模已达到1000亿美元，根据IC Insights最新预测,预计到2026年全球DRAM市场规模有望达到1219亿美元左右。相对DRAM和NAND来说，NOR Flash的市场要小的多，全球规模约30亿美元，分散程度也更大。
 
半导体存储器是一个高度垄断的市场，DRAM和NAND Flash基本被前三大公司包揽，且近年来垄断程度逐步加剧。根据中国闪存市场的数据显示，2020年DRAM市场95%的份额被三星、SK海力士和美光占据，而三星、铠侠、西部数据、美光、SK海力士、英特尔则占据了NAND市场约99%的份额。
 
具体看这三大存储器，他们各有不同：
   
DRAM数据易失且容量小。尽管DRAM多项性能都很优秀——纳秒级别的延迟，数十GB/S的带宽，接近于“长生不老”的寿命；然而它是易失性存储器，即断电后数据会丢失，而且，其成本比闪存高，容量也较小。
 
NAND Flash延迟长及寿命短，平面微缩已到极限。其每次写入数据时需要施加高压，让电子突破晶体管的氧化膜进入浮动栅极，这一过程会对氧化膜造成不可逆的损害，性能最好的SLC NAND，读写次数也只有10万次左右，而差一些的MLC、TLC的读写寿命均以千次为量级。
 
NOR Flash特点是芯片内执行（XIP，Execute In Place），即应用程序不必再把代码读到系统RAM中，而是直接在Flash闪存内运行，故其传输效率很高，读取速度快，在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益，主要被用来存储程序。然而NOR的器件结构要求其在进行擦除前先要将所有的位都写入0，这就使得其擦除速度很低，同时由于闪存在写入数据之前，均要求进行擦除，故这也会影响到NOR的写入速度。
 
综上所述是这三类主流存储器都存在各自的优缺点，并且随着技术的发展，他们的缺点也在被逐渐放大。存储芯片供应商宇芯电子支持提供样品测试及技术支持。


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