新兴存储技术商业化进程带来的变革

存储器是现代信息系统的关键组件之一，由DRAM与Nand Flash所主导的主导的存储市场规模已超过1600亿美元。而随着处理器性能的不断提升，满足市场对速度和容量的需求，打破“存储墙”的限制，业界开始试图突破冯诺依曼架构，由此新兴存储技术走进了市场的视线范围内。
 
MRAM、RRAM和PCRAM被行业视为是新兴的三大存储技术。这些技术的出现不仅引起了老牌存储厂商的注意，也吸引了一些新玩家的加入，在他们的共同推进之下，近些年来新兴存储技术也开始逐渐步入商业化阶段。在这个过程中，新兴存储技术又为存储市场又迎来了新一轮的变革。
 
由于相较于DRAM，PCRAM能够提供更低的功耗和成本，并且比固态硬盘和硬盘驱动器具有更高的性能。由此也引起了一些厂商的注意。
 
另一值得注意的是MRAM的发展。行业认为，MRAM除了其具备更好的储存效能外，更重要的是，现今的处理器(CPU)制程不停朝微缩化迈进，以因应高速运算需求。因此MRAM获得了很多厂商的关注，在这个过程当中也产生了一些变体，包括STT-MRAM、SOT-MRAM等 。在MRAM的发展过程当中，台积电、三星和Everspin等几家晶圆代工厂商的加入也被行业视为是内存市场的一次巨大转变。
 
虽然MRAM技术被业界所看好，但从商业化推进上看，其在发展的道路仍充满挑战。由此或许我们可以将之理解成为，在MRAM推进商业化的过程当中，市场也会对相关企业进行一次大浪淘沙。

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