高密度铁电随机存取存储器FRAM批量生产技术的发展

从1990年代开始流行的智能卡和移动设备就需要很长时间来存储数据，即使关闭电源（非易失性），也可以存储数据，在低功率下高速运行，并具有较高的写擦除周期耐力。铁电随机存取存储器（FRAM）满足了这些要求，但是在日本和美国尝试使用常规半导体工艺制造该存储器的尝试直到2000年代初都未必成功。
 
在常规半导体工艺期间产生的氢气，该反应导致铁电性能下降。富士通团队开发了H2阻挡膜来防止氧化铁电材料的还原。这有助于在1999年成功地开始FRAM的批量生产。为了实现高密度和低压可操作FRAM，他们改进了铁电电容器，实现了1.8V工作电压和4 Mb FRAM。与传统的FLASH存储器相比，他们开发的FRAM具有出色的电子性能。它的写入/擦除速度提高了1000万倍，耐用性提高了1亿倍，功耗降低了400倍。
 
因此FRAM不仅用于智能卡和移动设备中，而且还用于配备有大容量内存，身份验证设备和备用电池的射频识别（RFID）标签中，以用于备用电池的静态RAM（SRAM）。由于已证明FRAM被证明比FLASH存储器具有更高的抗辐射能力，因此FRAM有望应用于附着在需要通过放射线灭菌的医疗设备上的RFID标签。
 
尽管FRAM已经成为用于安全社交网络的基本内存支持信息技术（IT），但FRAM的最重要挑战之一是“扩展”或减小单元区域。该团队已经开发出了下一代FRAM，其单元面积比当前商业化的FRAM小得多。这项技术将大大降低FRAM的制造成本，并显着提高FRAM市场的增长。
 
尽管FRAM已经成为用于安全社交网络的基本内存支持信息技术（IT），但FRAM的最重要挑战之一是“扩展”或减小单元区域。该团队已经开发出了下一代FRAM，其单元面积比当前商业化的FRAM小得多。这项技术将大大降低FRAM的制造成本，并显着提高FRAM市场的增长。
 
尽管FRAM已经成为用于安全社交网络的基本内存支持信息技术（IT），但FRAM的最重要挑战之一是“扩展”或减小单元区域。该团队已经开发出了下一代FRAM，其单元面积比当前商业化的FRAM小得多。这项技术将大大降低FRAM的制造成本，并显着提高FRAM市场的增长。

关键词：FRAM 宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。