将赛普拉斯nvSRAM替换为MRAM

存储器芯片供应商宇芯电子本章节对赛普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和48球型焊盘 FBGA（小间距球栅阵列）封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。
 


图1显示的是使用 44 引脚 TSOP-II 封装选择时在相同的44 焊盘 PCB 封装上将 4Mbit（x16）MRAM 替换为 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 44引脚的 TSOP-II 封装尺寸是相同的，如表1所示。
   
除引脚 28（在 nvSRAM 上是 VCAP引脚，在 MRAM 上则被设计成 DC（请勿连接）引脚）外，nvSRAM 44 引脚TSOP-II 引脚的分布与 MRAM 44 引脚 TSOP-II 引脚的分布完全相同。通过创建用于将电容器连接到 nvSRAM VCAP 的空间，可不调整电路板也能将 NV-SRAM 和 MRAM 互换。
  图 2 显示的是使用 48 球型焊盘 FBGA 封装选择时在相同的48 焊盘 PCB 封装上将 4Mbit（x16）MRAM 替换为 4Mbit（x16）nvSRAM 的例子。MRAM 和 nvSRAM 器件的 48球型焊盘 FBGA 封装的长度、宽度和高度均不一样。然而，48 球型焊盘 FBGA 封装的间距保持一致，这样可保证两种封装选择的替换引脚是兼容的。在这种情况下，应保留PCB 上的封装防备区，以便保证能够在不影响 PCB 上其他组件的前提下顺利安装 nvSRAM 或 MRAM 48 球型焊盘FBGA 封装。MRAM 和 nvSRAM 的 48 球型焊盘 FBGA 封装尺寸比较如 表 2 所示
 
除了 E3、G2 和 H6 等三脚（在 MRAM 中被设计成 DC（请勿连接）或 NC（无连接）引脚）外，nvSRAM 的引脚分布与 MRAM 完全相同。在 nvSRAM 中，E3、G2 和 H6 分别是VCAP、HSB和NC引脚，通过创建用于将电容器连接到nvSRAM VCAP的空间，可不调整电路板也能将 nvSRAM 和MRAM 互换。通过使用一个微上拉电阻（~100 KΩ）可在nvSRAM HSB引脚调整位高水平，因此，，如果在设 计中不需要使用 nvSRAM HSB引脚的性能，HSB引脚将被保持为悬空（NC）状态。nvSRAM NC 引脚的连接不受任何限制。nvSRAM NC 引脚在设计中可以处于任何逻辑电平（高或低电平），也可以处于悬空（NC）状态。
   
注释1:如果在设计中不需要使用nvSRAM HSB的性能，它被保持为悬空(或NC)状态。在HSB引脚与-一个控制器I/O相连时，建议在该引脚上连接-一个4.7KQ~10KQ的外部上拉电阻。

注释2:当在相同封装上使用MRAM来替换nvSRAM时，nvSRAMVCAP引脚上的电容器(C)在BOM中可被指定为DNI(请勿设置)。使用nvSRAM时，应安装一个电容器(C) 。

 
除 nvSRAM 的 VCAP引脚（相当于 MRAM 的无连接（NC）引脚）外，赛普拉斯 nvSRAM 的引脚分布与 MRAM 引脚分布完全相同。

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