自旋传递扭矩STT-MRAM通用存储器

自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。
 
自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。MTJ元件的合成电阻差用于信息读取。
 
STT-MRAM是一种适用于未来使用超精细工艺生产的MRAM的技术，可以有效地嵌入到随后的诸如FPGA和微处理器，微控制器和片上系统（SoC）之类的半导体器件中。对于嵌入式设计人员而言，特别的好处是，STT-MRAM所需的内部电压仅为1.2V。
 
它可以使用单个1.5伏电池工作，而DRAM和闪存则需要电荷泵来提供更高的电压。现有的Nand Flash技术要求内部电压升至10至12伏才能进行写操作。该电压借助电荷泵来提高，这需要相当大的功率，并且给嵌入式设计人员带来了不利的设计条件。
 
STT-MRAM技术为嵌入式设计人员带来的另一个主要好处是，由于其有效的自旋转移扭矩技术，在90nm节点处的写入电流低至100至200微安量级。在45纳米及以上的半导体节点上，写入电流继续显着降低至100微安以下。这种较低的电流转换为更密集且更便宜的存储器。
 
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