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MR10Q010-1Mb四路输出高速串行SPI MRAM
来源：宇芯有限公司 日期：2020-08-05 10:15:25
1Mb串行MRAM具有四个串行I/O路径，旨在提高读/写速度并减少时钟周期。Everspin Technologies的具有Quad SPI接口的MR10Q010提供高达104MHz的时钟速度和52MB/s的读/写带宽。MRAM专为需要对数据进行高频写入的应用而设计，可提供与并行I/O MRAM相当的读取/写入带宽。它还允许就地执行（XIP）操作。Everspin代理商宇芯电子可提供技术支持及产品应用解决方案等产品服务。
Everspin MRAM这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据，而不会在其他非易失性技术（例如NOR Flash）中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性，MR10Q010非常适合需要连续记录关键系统数据的应用，并具有在意外断电的情况下保护数据的额外好处，而无需使用电池或电容器。诸如企业RAID控制器之类的应用程序可以利用这些功能，通过将MR10Q010用作记录不断更新的系统元数据的日志存储器，来增强关键任务数据存储系统的可靠性。
此外该存储器具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。该器件采用16引脚SOIC封装，可通过并行接口节省20引脚，并支持低电压电平，并具有用于I/O的单独VDDQ。
其他功能包括：
•数据保留超过20年
•自动断电数据保护
•无限的写续航力
•7.5mmx10.3mm机身尺寸
•引脚与NOR Flash Quad SPI产品兼容
MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存储解决方案，适用于必须使用少量引脚，低功耗和节省空间的16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I / O允许每秒52MB的非常快的读写速度，使其比8位并口mram更快。这对于下一代RAID控制器，服务器系统日志，存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器非常有用。
关键词： MRAM MR10Q010
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
Everspin MRAM这款高性能设备可以以104MHz的速度读取和写入数据，而不会在其他非易失性技术（例如NOR Flash）中遇到写入延迟。结合无限的写周期耐久性，MR10Q010非常适合需要连续记录关键系统数据的应用，并具有在意外断电的情况下保护数据的额外好处，而无需使用电池或电容器。诸如企业RAID控制器之类的应用程序可以利用这些功能，通过将MR10Q010用作记录不断更新的系统元数据的日志存储器，来增强关键任务数据存储系统的可靠性。
此外该存储器具有用于Quad SPI操作的完整命令集，包括读写操作，其中在所有四个I/O上输入地址和数据以减少时钟周期。该器件采用16引脚SOIC封装，可通过并行接口节省20引脚，并支持低电压电平，并具有用于I/O的单独VDDQ。
其他功能包括：
•数据保留超过20年
•自动断电数据保护
•无限的写续航力
•7.5mmx10.3mm机身尺寸
•引脚与NOR Flash Quad SPI产品兼容
MR10Q010 Quad SPI MRAM是理想的存储解决方案，适用于必须使用少量引脚，低功耗和节省空间的16引脚SOIC封装快速存储和检索数据和程序的应用。Quad SPI模式下的四个I / O允许每秒52MB的非常快的读写速度，使其比8位并口mram更快。这对于下一代RAID控制器，服务器系统日志，存储设备缓冲区以及嵌入式系统数据和程序存储器非常有用。
关键词： MRAM MR10Q010
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