工业计算内存模块专用MRAM存储器-MR4A16B
来源:宇芯有限公司 日期:2020-07-17 10:53:21
并行MRAM是大多数手机、移动设备、膝上机、PC等数字产品的存储器的潜在替代产品。从
MRAM芯片技术的特性上来看,可以预计它将能解决包括计算机或手机启动慢、数据丢失、数据装载缓慢、电池寿命短等问题,明显改变消费者使用电子没备的方式。
研华PCM-23系列内存模块是用于mPCIe接口的工业级内存模块,能够通过具有不同功能的iDoor技术通过连接器扩展对内存的访问。
PCM-23内存模块是可选的扩展内存,用于在事件日志中存储关键数据。断电时,关键数据必须是非易失性的。为了满足非易失性存储器的需求,研华选择了Everspin
MR4A16B 16Mb MRAM存储器,因为它提供了2MB的非易失性,可靠的数据存储,并具有20年的数据保留时间。全部没有电池或外部电容器。
Everspin MR4A16B由1,048,576字 x 16位构成。Everspin MR4A16B 16Mb并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期,并拥有出色耐久性对于这款并行MRAM来说,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。
everspin代理商宇芯电子支持技术指导及产品解决方案。
Everspin 并口MRAM MR4A16B系列
型号 |
容量 |
位宽 |
封装 |
电压 |
温度 |
MOQ(pcs) /Tray |
MOQ(pcs) /T&R |
MR4A16BCMA35 |
4Mb |
1Mx16 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
480 |
2500 |
MR4A16BMA35 |
4Mb |
1Mx16 |
48-BGA |
3.3V |
0℃to +70℃ |
480 |
2500 |
MR4A16BCYS35 |
4Mb |
1Mx16 |
54-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
216 |
1000 |
MR4A16BYS35 |
4Mb |
1Mx16 |
54-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
216 |
1000 |
关键词: MRAM MR4A16B
宇芯有限公司自成立以来,我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、
ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质,主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。