低电压SRAM的重要性
来源:宇芯有限公司 日期:2020-06-02 10:14:05
随着SOC 技术的发展,CMOS 工艺尺寸不断缩小,芯片集成度越来越高,使得单位面积芯片的功耗不断提高。近年来,便携式电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机、智能手环发展迅猛,而对于使用电池的便携式电子产品,芯片的功耗会直接影响到电池的使用时间、使用寿命,功耗逐渐成为大规模集成电路设计中最关心的问题。
Vilsion代理商宇芯电子介绍低电压SRAM的重要性。
CMOS 集成电路中的功耗由动态功耗、静态功耗和短路功耗组成。各个功耗表达式如公式所示:
其中,Pdynamic是电路电容充放电产生的动态功耗,与电源电压成平方关系;Pleak是静态功耗,即漏电流产生的功耗,与电源电压成一次方关系;Pshort是电路的短路功耗,产生于NMOS、PMOS 同时导通的瞬间,同样与电源电压成一次方关系。由此可见降低电源电压能够直接有效地降低电路的功耗。
SRAM的功耗包括动态功耗和静态功耗,动态功耗和静态功耗所占总功耗的比例不是一成不变的,其比例随集成电路工艺的发展而变化。工艺每前进一个节点,MOSFET 漏电流大约增加5 倍。器件特征尺寸的减少,使得静态功耗在电路总功耗中所占比例越来越大,同时也必然引起静态泄漏电流的增加。据统计,在90nm 工艺下,IC 漏电流功耗大约占整个功耗的1/3,在65nm 工艺下,IC 漏电流功耗已经占总功耗的一半以上。由于动态功耗与电源电压是平方的关系,静态功耗与电源电压是一次方关系,降低电源电压能够使得动态功耗和静态功耗都得到大幅降低。
VTI低功耗SRAM 4
Mbit
型号 |
位宽 |
容量 |
温度 |
电压 |
C/S Option |
封装 |
VTI504NL16 |
256K x 16 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
1C/S |
48BGA |
VTI504NL16 |
256K x 16 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
1C/S |
44TSOP2 |
VTI504HB16 |
256K x 16 |
4Mbit |
Industrial |
5.0 |
2C/S |
44TSOP2 |
VTI504HL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
5.0 |
1C/S |
32SOP |
VTI504HL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
5.0 |
1C/S |
32TSOP2 |
VTI504HL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
5.0 |
1C/S |
32TSOP1 |
VTI504HL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
5.0 |
1C/S |
32sTSOP1 |
VTI504NL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
1C/S |
32TSOP1 |
VTI504NL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
1C/S |
32sTSOP1 |
VTI504HL16 |
256K x 16 |
4Mbit |
Industrial |
5.0 |
1C/S |
44TSOP2 |
VTI504NL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
1C/S |
32SOP |
VTI504NL08 |
512K x 8 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
1C/S |
32TSOP2 |
VTI504NB16 |
256K x 16 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
2C/S |
48BGA |
VTI504NB16 |
256K x 16 |
4Mbit |
Industrial |
3.3 |
2C/S |
44TSOP2 |
关键词:SRAM 低电压SRAM
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