低功耗SRAM主要三部分功耗来源

随着SOC 技术的迅猛发展，由电池供电的便携式电子产品得到了广泛应用，如智能手机、运动手环、ipad、部分汽车电子等。近年来半导体工艺已进入深亚微米甚至纳米阶段，工艺尺寸不断缩小，但是由于电池技术的缓慢发展以及芯片散热技术的不完善等导致功耗成为SOC 急需要解决的重要问题。而静态随机存储器SRAM 是SOC 的重要组成部分，且其占芯片总面积的比例越来越大。而芯片功耗大小直接影响到电池的使用寿命。
 
低功耗SRAM的功耗来源主要包括三部分：动态功耗、静态功耗、短路功耗，功耗与电源电压有着直接的关系，动态功耗与电源电压成二次方关系，静态功耗和短路功耗与电源电压成一次方关系，因此降低电源电压能够给SRAM 带来大幅度的功耗降低。由于传统的6管存储单元在电源电压降低时会出现可靠性变差、写能力不足、甚至读写错误的缺陷，新型10 管存储单元，独特的电路结构决定了它可以工作在低电源电压下。为了说明存储单元的性能优越。
 

代理商VTI SRAM低功耗

型号	位宽	容量	温度	电压(V)	速度(ns)	C/S Option	封装
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	44TSOP2
VTI508NL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	48BGA
VTI508NB08	1M x 8	8Mbit	Industrial	3.3	45/55	2C/S	44TSOP2
VTI508HB16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	2C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	48BGA
VTI508HL16	512K x 16	8Mbit	Industrial	5.0	45/55	1C/S	44TSOP2

关键词：SRAM  低功耗SRAM 宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。