半导体SRAM存储器综述

最近30年，随着微电子技术的飞速发展，半导体存储器也正朝着显著的方向发展，由于DRAM具有高密度和每位低价格的优点，已成为了生产最多的用于计算机主体的易失性存储器（也称为挥发性存储器）。SRAM的密度一般比DRAM要落后一代。然而SRAM具有的低功耗和高性能的特点，使它们成为了DRAM的实际替代者。现今大量用于商品的SRAM使用NMOS和PMOS技术制造（或者两种技术的结合，称为混合MOS）。


1995年半导体存储器的销售额占总IC市场的42%，但是随着1995年的强劲增长，存储器的价格在接着的三年中急剧下降。到1998年存储器的销售额只占总IC市场的21%。在20世纪90年代半导体存储器的销售额平均约为IC总销售额的30%。曾经预言在2005年以前IC的总销售额中存储器的市场份额都将逐渐增加。在高密度和高速应用方面，正在采用双极型和MOS技术的各种结合。


半导体存储器的种类繁多，通常从功能上可将其分为只读储器（ROM）和随机存储器（RAM）。只读存储器的特点是其内容在计算机开机使用之前已经写入，开机后只能读出使用而不能写入，且储存数据不会因系统的掉电而丢失。它主要面向已经定型的程序或专用数据。


随机存储器的特点是可以随时对其进行读写操作，但电源切断时，储存的信息会随之消失。在随机存储器中按照对数据操作方式的不同，可以将RAM分为动态存储器（DRAM）与静态存储器（SRAM）；SRAM的密度和性能通常通过等比例缩小器件的几何形状来增强。已发展了具有亚微米尺寸的先进的4Mb到16MbSRAM芯片的设计和系统结构，现在可以得到商业芯片。DRAM发展中的主要改进是从三晶体管（3T）设计转变为单晶体管（1T）设计，使得可以生产采用3-D沟槽电容器和堆叠电容器的4Mb到16Mb密度的芯片。

关键词：SRAM