铁电RAM的优势

随着使铁电存储器FRAM的非挥发性，利用晶体的偏振提供了许多优于基于电荷的存储技术的优点（见表1）。因为它避免了浮栅技术的潜在的降解效果，FRAM存储器和其保存数据的功率损耗的面能力的寿命几乎是无限的。例如FRAM存储器设备，如富士通半导体MB85R1001A和ROHM半导体MR48V256A所有指定10年的数据保持性能。下列表格是各类存储器的比较。
 

	FRAM	EEPROM	FLASH	SRAM
Memory Type	Non-volatile	Non-volatile	Non-volatile	Volatile
Write Method	Overwrite	Erase + Write	Erase + Write	Overwrite
Write Cycle Time	150 ns	5 ms	10 μs	55 ns
Read/Write Cycles	1013	106	105	Unlimited
Booster Circuit	No	Yes	Yes	No
Data Backup Battery	No	No	No	Yes

 
铁电RAM存储由铁电材料锆钛酸铅的偏振的装置，或PZT（Pb（上ZrTi）O 3），它被置于两个电极类似的电容器的结构之间的膜。与DRAM中，在FRAM中阵列的每一位被读出和单独写入，但在DRAM的使用的晶体管和电容器来存储比特，FRAM采用在晶体结构中的偶极移引起的施加电场的相应位跨电极（图1）。因为该偏振仍然是去掉电场之后，FRAM数据仍然存在无限期即使没有可用功率 - 用于设计搭载不确定环境来源的重要能力。
 
富士通半导体FRAM细胞电场的图像
 
图1：在FRAM细胞，数据存储为偏振引起的施加电场横跨PZT膜的状态 - 一种方法，使扩展的数据保留，并消除在浮栅技术中遇到的磨损。
 
通过省去了在浮栅存储器技术所需电荷泵，FRAM可以在3.3V或更低的典型电源范围内工作。与存储电荷的存储器设备，FRAM装置具有耐α粒子和通常表现出软错误率（SER）检测极限以下。
 
 
关键词：铁电RAM