研究人员开发一种新的MRAM单元结构
来源:宇芯有限公司 日期:2020-04-17 09:54:17
MRAM存储芯片可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业,军事及太空应用,这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。
东京工业大学的研究人员开发了一种新的
MRAM单元结构,该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻(USMR)。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。
自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合,研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。
MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效的特点。MRAM存储器技术仍远未实现其潜力,但是截至2020年初,市场上有从很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存储芯片,并且公司正在将这种技术用于许多应用。宇芯有限公司代理行业翘楚Everspin MRAM存储芯片.设计了多款校准方案,都在量产供货中,获得了大量用户的认可。
Everspin MRAM存储芯片
型号 |
容量 |
位宽 |
电压(V) |
温度 |
封装 |
MOQ /卷带 |
MR25H40CDC |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃to+85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR20H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H40CDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40 ℃to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H40MDF |
4Mb |
512Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H10CDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H10MDC |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H10CDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H10MDF |
1Mb |
128Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H256CDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H256MDC |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN |
4,000 |
MR25H256CDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
MR25H256MDF |
256Kb |
32Kx8 |
3.3V |
-40℃ to +125℃ |
8-DFN sf |
4,000 |
关键词:everspin MRAM
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