案例&资讯
案例&资讯
主页 › 案例&资讯资讯动态 › 查看详情

研究人员开发一种新的MRAM单元结构

来源:宇芯有限公司 日期:2020-04-17 09:54:17

MRAM存储芯片可以抵抗高辐射,可以在极端温度条件下运行,并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车和工业,军事及太空应用,这些对于MRAM存储芯片开发人员来说是重要的部分。


东京工业大学的研究人员开发了一种新的MRAM单元结构,该结构依赖于单向自旋霍尔磁阻(USMR)。新的单元结构只有两层。这可能导致成本更低的MRAM器件。

自旋霍尔效应导致电子在材料的侧面以一定的自旋积累。通过将拓扑绝缘体与铁磁半导体相结合,研究人员设法制造出具有巨型USMR的器件。

MRAM存储芯片是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM存储芯片具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效的特点。MRAM存储器技术仍远未实现其潜力,但是截至2020年初,市场上有从很小的非易失性MRAM到1Gb芯片的MRAM存储芯片,并且公司正在将这种技术用于许多应用。宇芯有限公司代理行业翘楚Everspin MRAM存储芯片.设计了多款校准方案,都在量产供货中,获得了大量用户的认可。


Everspin MRAM存储芯片
型号 容量 位宽 电压(V) 温度 封装 MOQ /卷带
MR25H40CDC 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃to+85℃ 8-DFN 4,000
MR20H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40CDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40 ℃to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H40MDF 4Mb 512Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10CDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H10MDC 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H10CDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H10MDF 1Mb 128Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256CDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN 4,000
MR25H256MDC 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN 4,000
MR25H256CDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +85℃ 8-DFN sf 4,000
MR25H256MDF 256Kb 32Kx8 3.3V -40℃ to +125℃ 8-DFN sf 4,000



关键词:everspin MRAM  
 

宇芯有限公司自成立以来,我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件,代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质,主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片,致力于为客户提供具有竞争优势的产品,是一家专业提供存储方案解决商。