带ECC的CMOS汽车异步SRAM
来源：宇芯有限公司 日期：2020-03-23 10:19:39
ISSI IS61/64WV5128EDBLL描述
ISSI IS61/64WV5128EDBLL是高速
异步SRAM，4,194,304位静态RAM，组织为524,288字乘8位，采用ISSI的高性能CMOS技术制造，这种高度可靠的工艺与创新的电路设计技术相结合，可提供高性能和高性能低功耗设备。
当CE为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。
通过使用芯片使能和输出使能输入CE和OE，可以轻松扩展存储器。激活的LOW Write Enable（WE）控制存储器的写入和读取。
IS61/ 64WV5128EDBLL封装在JEDEC标准的44引脚TSOP-II，36引脚SOJ和36引脚Mini BGA（6mm x 8mm）中。
产品特征
•高速访问时间：8、10 ns
•低有功功率：85 mW（典型值）
•低待机功率：7 mW（典型值）
CMOS待机
•单电源
-Vdd 2.4V至3.6V（10 ns）
-Vdd 3.3V±10％（8 ns）
•完全静态操作：无需时钟或刷新
•三态输出
•工业和汽车温度支持
•无铅
•错误检测和错误纠正
ISSI 同系列主要产品
| 型号 |
容量 |
位宽 |
电压(V) |
速度(ns) |
封装(Pins) |
| IS61WV5128EDBLL |
4Mb |
512Kx8 |
2.4-3.6V |
8,10 |
TSOP2(44),BGA(36) |
| IS61WV5128ALL/BLL |
4Mb |
512Kx8 |
1.65-3.6V |
8,10,20 |
SOJ(36),TSOP2(44),BGA(36) |
| IS64WV5128EDBLL |
4Mb |
512Kx8 |
2.4-3.6V |
10 |
TSOP2(44),BGA(36) |
上一篇文章：QDR与DDR SRAM
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