新型非易失性MRAM优势

MRAM（磁性存储器）是一种非易失性存储器。MRAM技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非易失性，容量密度及使用寿命不输DRAM，但平均能耗远低于DRAM，且基本上可无限次地重复写入。
 
MRAM曾获得多家产业巨头的青睐，摩托罗拉的半导体部门、IBM、英飞凌、赛普拉斯、瑞萨、三星电子、SK海力士、美光等均曾陆续投入研发MRAM的行列。
 
国际上有多个国家和地区的政府及公司巨资投入开发MRAM产品，包括IBM、WD、东芝、三星电子、TDK、Seagate、Headway等。其中IBM、Eversipin、三星电子为主要代表企业，从飞思卡尔独立出来的Everspin据称为全球第一家大批量提供商用MRAM产品的企业，GlobalFoundries、台积电和联电等晶圆代工厂商亦逐步投入嵌入式MRAM生产。
 
目前MRAM技术已在向第二代发展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，ST-MRAM被视为是可以挑战DRAM和SRAM的高性能存储器，Everspin、三星电子、IBM、Grandis等企业均已涉足。
 
关于Everspin
Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的。Everspin拥有超过600项有效专利和申请的知识产权产品组合，在平面内和垂直磁隧道结（MTJ）STT-MRAM位单元的开发方面处于市场领先地位。Everspin公司在数据中心和云存储以及能源和工业及运输市场中部署了超过1.2亿个MRAM和STT-MRAM产品，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。everspin代理宇芯电子提供非易失性MRAM芯片。  

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关键词：MRAM