Cypress非易失性SRAM技术

非易失性SRAM（nv SRAM）结合了赛普拉斯行业领先的SRAM技术和一流的SONOS非易失性技术。在正常操作下，nv SRAM的行为类似于使用标准信号和时序的常规异步SRAM。nv SRAM执行并行随机访问读取和写入的速度最快为20 ns。
 
发生电源故障时，nv SRAM会自动将SRAM数据的副本保存到非易失性存储器中，该数据将受到20多年的保护。SRAM和非易失性存储器之间的传输是完全并行的，从而允许在8 ms或更短的时间内完成操作，而无需任何用户干预。上电时，nv SRAM将数据返回给SRAM，并且系统从中断处继续操作。nv SRAM还提供用户控制的软件STORE和RECALL启动命令，以及大多数版本中的用户控制的硬件STORE命令。
 
CYPRESS的nv SRAM具有行业标准的，符合RoHS的封装选项，例如TSOP，FBGA，SSOP和SOIC封装
 

Nv SRAM技术

Nv SRAM的非易失性单元基于SONOS技术。他们利用Fowler-Nordheim隧穿（FN隧穿）的优势通过将电荷捕获在夹层氮化物层中来存储数据。FN隧道技术的主要优势在于，它可以大大提高NV耐久性，并大大降低磨损。SONOS技术的另一个优点是易于集成到CMOS中（仅两个附加的掩模）。这使得NV单元可以在每个存储位中紧邻6T SRAM单元放置，从而使SRAM到NV的传输全部并行进行，并且功耗非常低。

Nv SRAM的主要功能

· 64Kb至16Mb的设备
· 异步并行和ONFI 1.0接口选项
· 串行接口选项
· 存取时间低至20 ns
· 无限耐力
· 无需电池即可存储断电数据；符合RoHS
· 可选的实时时钟（RTC）


关键词：SRAM