近期价格不断下跌NAND Flash （闪存芯片）市场，突然遇到了产业变动。7月初日本经济产业省宣布，自从7月4日起包括“氟聚酰亚胺”、“ 光刻胶 ”和“高纯度氟化氢”3种材料将限制向韩国出口。
其中光刻胶与NAND Flash等存储芯片的生产制造相关。有手机从业者曾告诉记者，存储已经超过屏幕、CPU，成为手机最大的成本，存储在手机中的成本达到25%-35%，可见存储的其重要性。
另外一方面6月底 东芝 的NAND Flash的工厂突然断电13分钟，至今还未恢复正常运营。这些因素都会造成NAND Flash的产能以及价格的影响，也有传言说接下来NAND Flash会涨价。
但是在业内看来，虽然降幅可能收窄，但是却很难改变价格下跌的趋势。集邦咨询（TrendForce）研究协理陈玠玮告诉记者：“预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”
闪存市场的两起突发
具体来看一方面日本对出口韩国的半导体管制变得严厉，自7月4日起，韩国的最惠国待遇就被取消了，对于氟聚酰亚胺等三种半导体材料的出口限制上，从原先的免申请出口许可，改为逐案审核，相关审查流程最长时间长达90个工作日。
据了解光刻技术是芯片制造中重要的工艺，而光刻胶则是光刻技术实现的关键材料，是涂覆在半导体基板上的感光剂，占芯片制造成本约为7%。在光刻胶这一上游领域，日本企业占据垄断地位。
在NAND Flash市场上，主要供应商有东芝、三星、西部数据、英特尔、SK 海力士、美光，其中东芝阵营和三星阵营占据了半壁江山。而日本的断供，也将影响SK海力士和韩国三星的NAND Flash芯片制造导致产量减少。
为了应对这一局面，业内也传出消息称，海力士正在和Intel谈判，或收购大连工厂及3D NAND业务，从而补充产能。另外韩国产业通商资源部提出了“复兴战略”计划，加强韩国国内的供应链，预计从21年起将对零组件，半导体材料、设备研发投入6兆韩元（约51亿美元）的预算。
另一方面东芝在6月遭遇断电事故，5个工厂未能幸免，至今还未完全恢复，这也影响了NAND Flash的产能。而受伤的厂区也包括东芝和西部数据的合资厂，西部数据公开表示，约6ExaByte （EB）的产能受到影响。
陈玠玮向记者表示：“对东芝NAND Flash产能影响至少达30%，但预计七月中旬就会恢复生产。”
除了以上的突发事故，美光的营收和产能也不理想。受到供大于求的环境背景以及贸易摩擦的影响，美光2019财年Q3季度中，NAND营收大约在总营收中占比31%，营收环比下降18%，与同期相比下降25%。为了进一步改善市场供需，美光决定将
NAND Flash产出减少比例从原来的5%提高到了10%，还将削减2020年资本支出。
那么面对今年NAND Flash产能减少的情况，三季度开始产品价格会上涨吗？
下跌趋势难反转
有观点认为以上这两个事件会对NAND Flash价格产生影响，甚至预计NAND Flash将涨价10%到15%。但是陈玠玮告诉记者：“七月通路Wafer（晶圆）价格报价预计上涨至少10%，但成交价格可能不会上涨这么多，集邦咨询预估NAND ASP 2019年将会下跌40%。”
另一方面，中国国内 长江存储 也在扩张产能，据悉长江存储有望在2019年底前在武汉存储基地大规模生产64层3DNAND，长江存储正在武汉建设一座240亿美元的半导体工厂。虽然与国际大厂相比，长江存储的64层3D NAND仍落后，产能不算大，但是差距在迅速缩小，也将对NAND Flash市场的价格产生冲击。
17年由于闪存等存储芯片价格持续上涨，一度引发了包括手机、固态硬盘、内存条等产品的陆续涨价。直到2018年供需关系发生变化，闪存价格一直下跌，2019年跌势继续。
关键词：NAND FLASH
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