案例&资讯
IMEC将SRAM芯片面积缩小24% 适用5nm制程节点
来源：宇芯有限公司 日期：2018-12-24 10:27:54
目前半导体制程工艺处于14nm的阶段，2017年，英特尔领先公布了它们在7nm、5nm甚至3nm等制程工艺更前沿的布局及进展，今年，三星同样公布了关于5nm与3nm制程工艺的布局，由此可知，半导体制程工艺并未因物理极限的限制而停止不前，各大半导体企业都在对研发面积更小，性能更强的半导体芯片方向发展。
最近，全国知名半导体研发中心-比利时微电子研究中心IMEC发布了一项新的技术，成功的开发并制造了目前可以说是全球来说最小的SRAM芯片，面积比之前的SRAM芯片缩小了将近24%，是一项可以应用于5nm制程节点。
同时，官方还放出了该SRAM的微缩影像图片：
此前，全球最小的SRAM芯片是由三星制造的6T 256Mb SRAM芯片，面积只有0.026平方毫米，而IEMC本次制造的新一代6T 256Mb SRAM芯片核心面积只有0.0184平方毫米到0.0205平方毫米，相比三星的SRAM微缩了24%。
新一代SRAM芯片可以做到这么小的面积，原因在于IMEC采用了更为简单的结构设计，并使用了新的晶体管结构，并在整体的设计中加入了垂直型环绕栅极（Surrounding Gate Transistor，简称SGT）结构，栅极间距仅为50nm，这就与水平型的GAA晶体管在面积上拉开了差距，基本上比水平型的GAA晶体管的面积少20-30%，并在工作电压，稳定性及漏电流等性能上表现的更为优越。
栅极间距与逻辑单元高度是两个在半导体制程发展中极为重要的指标，半导体芯片单位面积内的晶管体密度也是被这两个指标直接影响着，间接性通过晶体管密度的大小去决定芯片性能，此外，工作电压与漏电流也是衡量制程工艺的标准参数之一，更低的漏电率也是制程发展中需要考虑的问题。
最近，全国知名半导体研发中心-比利时微电子研究中心IMEC发布了一项新的技术，成功的开发并制造了目前可以说是全球来说最小的SRAM芯片，面积比之前的SRAM芯片缩小了将近24%，是一项可以应用于5nm制程节点。
同时，官方还放出了该SRAM的微缩影像图片：
此前，全球最小的SRAM芯片是由三星制造的6T 256Mb SRAM芯片，面积只有0.026平方毫米，而IEMC本次制造的新一代6T 256Mb SRAM芯片核心面积只有0.0184平方毫米到0.0205平方毫米，相比三星的SRAM微缩了24%。
新一代SRAM芯片可以做到这么小的面积，原因在于IMEC采用了更为简单的结构设计，并使用了新的晶体管结构，并在整体的设计中加入了垂直型环绕栅极（Surrounding Gate Transistor，简称SGT）结构，栅极间距仅为50nm，这就与水平型的GAA晶体管在面积上拉开了差距，基本上比水平型的GAA晶体管的面积少20-30%，并在工作电压，稳定性及漏电流等性能上表现的更为优越。
栅极间距与逻辑单元高度是两个在半导体制程发展中极为重要的指标，半导体芯片单位面积内的晶管体密度也是被这两个指标直接影响着，间接性通过晶体管密度的大小去决定芯片性能，此外，工作电压与漏电流也是衡量制程工艺的标准参数之一，更低的漏电率也是制程发展中需要考虑的问题。
宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。
