PROM、EEPROM、FLASH的区别
来源：宇芯有限公司 日期：2017-10-30 11:08:35
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。 其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：
1、EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能按“块”一大片一大片的擦写。
2、EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。
3、读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPOM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。
4、因为EEPROM的存储单元是两个管子，而FLASH 是一个(SST的除外，类似于两管)，所以CYCLING 的话，EEPROM比FLASH 要好一些，到1000K次也没有问题的。
总的来说，对于用户来说，EEPROM和 FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性较FLASH要好一些。
但对于EEPROM和FLASH的设计来说，FLASH则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。
关键词：
FLASH
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