PROM、EEPROM、FLASH的区别
来源:宇芯有限公司 日期:2017-10-30 11:08:35
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成,由于FLOTOX的特性及两管结构,所以可以单元读/写。技术上,FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的,很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程,擦除和EEPROM一样用 Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是,FLASH对芯片提供大块或整块的擦除,这就降低了设计的复杂性,它可以不要 EEPROM单元里那个多余的Tansister,所以可以做到高集成度,大容量,另FLASH的浮栅工艺上也不同,写入速度更快。 其实对于用户来说,EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是:
1、EEPROM 可以按“位”擦写,而FLASH 只能按“块”一大片一大片的擦写。
2、EEPROM 一般容量都不大,如果大的话,EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下,而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上(NOR 型)。
3、读的速度的话,应该不是两者的差别,只是EERPOM一般用于低端产品,读的速度不需要那么快,真要做的话,其实也是可以做的和FLASH差不多。
4、因为EEPROM的存储单元是两个管子,而FLASH 是一个(SST的除外,类似于两管),所以CYCLING 的话,EEPROM比FLASH 要好一些,到1000K次也没有问题的。
总的来说,对于用户来说,EEPROM和 FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些。
但对于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。
关键词:
FLASH
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