SOT-MRAM技术取得新进展

  磁阻式随机存取存储器（MRAM）技术持续演进。这种技术基于隧穿磁阻效应，利用磁性材料的磁阻特性来保存数据，它具备非易失性、高速读写以及无限次擦写等优点。随着技术的持续革新，MRAM的存储密度和性能得到提升，成本逐渐下降，预示着它将在未来的存储市场中占据重要地位。
 
  目前，主流的MRAM技术是STT MRAM，它通过隧道层的“巨磁阻效应”来读取位单元。当隧道层两侧的磁性方向一致时，电阻较低；而当磁性方向相反时，电阻显著增加。
 
  同时，基于自旋轨道扭矩（SOT）的磁性随机存取存储器（MRAM）技术也在持续取得突破。德国美因茨约翰内斯古腾堡大学（JGU）的研究团队与法国Antaios公司携手合作，利用轨道霍尔效应，开发出了一种创新的SOT-MRAM。
 
  这项SOT-MRAM技术在写入电流和能效比方面实现了双重突破。通过轨道霍尔效应，该技术将写入电流减少了20%，能效比提高了30%，同时保证了数据的十年以上保存期。
 
  与传统SOT-MRAM依赖于强自旋轨道耦合的金属材料（如铂和钨）不同，这项技术通过轨道霍尔效应将电荷电流转换为轨道电流，从而避免了对稀有和昂贵材料的依赖，降低了生产成本。其非易失性和低功耗特性，使其特别适合应用于数据中心和高性能计算等领域。在数据中心，大量数据需要快速存储和读取，同时对存储设备的稳定性和可靠性要求极高。新型SOT-MRAM的出现为满足数据中心的存储需求提供了新的解决方案。


本文关键词：SOT-MRAM,MRAM

相关文章：SRAM是高效且关键的挥发性内存

宇芯有限公司自成立以来，我们专注于代理国内外各大知名品牌的半导体元器件，代理品牌有NETSOL、JSC、everspin代理、来杨Lyontek、ISSI、CYPRESS，VTI等多个品牌总代理资质，主要产品线为sram、mram、psram等其他存储器芯片，致力于为客户提供具有竞争优势的产品，是一家专业提供存储方案解决商。