何为MRAM？

    MRAM是一种非易失性的磁阻式随机存取存储器，是一种基于隧穿磁阻效应的技术，属于当前新型存储器技术之一。
 
    从特性上看，MRAM具备读写次数无限、写入速度快（写入时间可低至2.3n）、功耗低、和逻辑芯片整合度高等特点，产品主要适用于容量要求低的特殊应用领域以及新兴的IoT嵌入式存储领域。
 
    从主流的MRAM技术来看，MRAM技术包括嵌入式磁阻RAM（MRAM）、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）、SOT-MRAM（自旋轨道扭矩磁性随机存储器）。目前MRAM主要以美国半导体大厂EverspinTechnologies推出的STT-MRAM（垂直混合自旋扭矩转换磁性随机存储器）为代表。据悉，Everspin公司已量产MRAM产品。
 
    其中，STT-MRAM使用隧道层的“巨磁阻效应”来读取位单元，当该层两侧的磁性方向一致时为低电阻，当磁性方向相反时，电阻会变得很高。与其他新兴存储技术相比，STT-MRAM耐用性较为出色，并且存储速度极快，还被认为是最高级的缓存存储器。
 
    SOT-MRAM（自旋轨道扭矩磁性随机存储器），采用三端式MTJ结构，将读取和写入路径分开，通过分离读写路径，提供更高的耐用性。


本文关键词：MRAM

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