16Mb异步快速SRAM芯片S6R1616V1M

S6R1616V1M是16789216位异步快速SRAM芯片，由16比特组织为1M个字。使用16条公共输入和输出线，并且具有输出使能引脚，其操作速度快于读取周期的地址访问时间。并且允许通过数据字节控制（UB，LB）进行低位和高位字节访问。该器件采用先进的CMOS工艺、基于6-TR的单元技术制造，并设计用于高速电路技术。它特别适合在高密度高速系统应用中使用。采用工业标准48TSOP1和48FBGA封装。
 
特征
•快速访问时间：8、10、12、15ns（最大值）
•CMOS低功耗
待机（TTL）：35mA（最大）
（CMOS）：28mA（最大）
工作电流：85mA（最大8ns）
75mA（10ns，最大值）
•单个3.3±0.3V或5.0±0.5V电源
•广泛的电源
•TTL兼容输入和输出
•完全静态操作，无需时钟或刷新
•三态输出
•数据字节控制（x16模式）
LB:I/O0~I/O7，UB:I/O8~I/O15
标准48 TSOP1和48FBGA封装引脚配置
•符合ROHS
•在商业和工业温度范围内运行


本文关键词：SRAM

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