预测未来存储器的发展趋势

近几十年来，集成电路技术发展迅速，信息产业发展迅速。DRAM.SRAM和Flash存储器是信息产业的核心产品。
 
可是DRAM.SRAM和Flash存储器有其不可改变的缺陷。目前，世界上大多数半导体制造商一方面致力于改进存储器的大容量化.高速化.另一方面，必须在原有完善存储器的基础上开发各种独特的存储器。
 
1.高速存储器的发展
随着微控制器速度的快速发展，存储器的发展远不能跟上微控制器速度的提高。以适应高速CPU形成高性能系统的需要，高速DRAM技术不断发展。高速发展DRAM目前方法一般集中在存储芯片的片外附加逻辑电路上，尝试在片外组织连续的数据流提高单付时间内的数据流量，即提高存储器的带宽。
 
2.新型动态存储器.
根据一些特定的必要性，一些公司开发了一些新的动态存储器：例如，为了提高扫描显示和多处理机系统的双端口通信速度SRAM，为了解决图形显示带宽瓶颈而设计的图形卡视频读写存储器VRAM,为了改进Windows图形用户界面中的图形特性WRAM,适用于多处理器系统的高速通信FIF0存储器等。
 
3.不断提高存储集成度
因为新一代操作系统和许多与图像处理相关的程序包对存储容量有更多的要求，促进大半导体制造商继续投资数亿元开发亚微米集成电路技术，提高存储器集成度，推出大空间存储芯片。
 
4.低工作电压低功耗化存储器
选择低压集成电路技术后，芯片功耗大大降低，工作速度没有明显降低。此时电池重量可降低40%。同时电池寿命增加，系统热值降低，整个系统体积不断减小。
 
 
本文关键词：SRAM,存储器,DRAM

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