Everspin xSPI STT-MRAM代码和数据整合场景
来源： 日期：2022-07-22 11:43:41
Everspin的新xSPI产品系列基于扩展的串行外设接口，这是用于非易失性存储设备的最新JEDEC标准。它基于Everspin独特的工业STT MRAM技术。这些产品提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引脚数的SPI兼容总线接口，时钟频率高达200MHz。这些持久性内存MRAM设备在单个1.8V电源上运行，并通过八个I/O信号提供高达400MBps的读取和写入速度。
在这个用例场景中，应用程序代码和一些少量数据存储在同一个内存芯片中。这有时需要满足严格的成本和空间（如物理电路板空间）要求。代码在启动时加载到RAM中。文件系统可用于存储数据和可能的固件，但通常使用原始访问。由于其低成本和小尺寸，NOR闪存通常用于此目的。
对于只读或以读取为中心的工作负载，这种设计工作得很好。然而，由于写入性能差和写入能耗高，NOR闪存通常不适用于中等写入工作负载。NAND闪存也可用于提高写入性能，但由于坏块和软错误管理，它会带来额外的复杂性。另一个问题是耐力。尽管大多数应用永远不会接近NOR或SLCNAND的最大100K擦除周期，但随着单元磨损，保留率会显着降低。从未磨损设备的典型10年规格来看，在10K循环后，保留时间可能会下降到仅1年。如果固件映像最终出现在磨损的块中（如果使用了适当的磨损均衡，这可能会发生），这可能会成为一个问题。
EMxxLX系列在紧凑的8DFN中具有高达64Mb的容量，非常适合这种特殊用例。它具有极高的写入速度、低写入能耗和几乎无限的写入寿命。到目前为止，NOR闪存仍然比MRAM具有容量优势，但大型NOR芯片并不便宜，而且没有迹象表明MRAM无法扩展到尺寸和成本的综合水平。事实上，Everspin已经在开发其他密度高于64Mb的MRAM产品。
本文关键词：xSPI STT-MRAM,Everspin
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