不断发展变化的存储器

内存是电子系统中的关键组件之一，也称内存储器和主存储器，它可以满足多种需求——从数据存储到缓存、缓冲，以及最近的（内存中）计算。它用于暂时存放CPU中的运算数据，以及与硬盘等外部存储器交换的数据。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行，内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。
 
几十年来，内存格局一直没有改变，从缓存到存储都有清晰的层次结构。靠近中央处理器(CPU)的快速、易失的嵌入式静态随机存取存储器(SRAM)是主要存储器。芯片上还有更高的高速缓存存储器，主要由SRAM或嵌入式动态随机存取存储器(DRAM)技术制成。
 
在离CPU较远的片外，将主要发现用于工作存储器的DRAM芯片、用于存储的非易失性NAND闪存芯片以及用于长期存档应用的磁带。一般来说，距离CPU越远的内存越便宜、速度越慢、密度越大且易失性越低。
 
尽管内存密度有了很大的提高，但所有这些内存都在努力跟上逻辑芯片不断提高的性能和巨大的数据增长率。这推动了对独立和嵌入式应用的替代内存技术的探索。新兴选择范围从缓存级应用的新技术、改进DRAM设备的新方法、填补DRAM和NAND技术之间差距的新兴存储级存储器、改进3D-NAND存储设备和存档类型应用的解决方案。这些新兴存储器之一是磁阻随机存取存储器(MRAM)。

本文关键词：SRAM,MRAM,NAND闪存

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