MRAM在存算一体上展现出的优势

到目前为止，多种存储器介质被研究用于构建存算一体系统，包括基于电荷存储原理的传统存储器和基于电阻存储原理的新型存储器。传统存储器主要包括SRAM、DRAM和 Flash。其中SRAM和DRAM是易失性器件，频繁的刷新并不利于降低功耗。而Flash虽然是非易失性的，但是随着读写次数增加，浮栅氧化层会逐渐失效，反复读写可靠性很低。因此，各种基于电阻改变的新型存储器是实现存算一体的有效载体。
 
这其中主要包括相变存储器(PCM)、电阻记忆存储器(RRAM)和磁性随机存储器(MRAM)。PCM和RRAM基于原子层级重构来改变阻值，优点是有较大的阻值窗口，而缺点则是读写速度和读写可靠性要劣于MRAM。MRAM则是基于对电子“自旋”的控制，可以达到理论上的零静态功耗，同时具有高速和非易失性以及近乎无限的写入次数。MRAM在速度、耐久性、功耗这些方面具有不可替代的优越性。因此，MRAM是实现存算一体的理想存储器之一。
 
MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM 具有成为通用存储器的潜力——能够将存储存储器的密度与SRAM 的速度相结合，同时具有非易失性和节能性。MRAM 可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得 MRAM 适用于汽车、工业、军事和空间应用，
 
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