串行Serial SRAM
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串行存储器芯片(Serial SRAM)串行存储器芯片(Serial SRAM)

串行Serial SRAM为了满足更小管脚的设计跟更小PCB板尺寸而衍生出来的一款存储器;
存储器在高速性能并非最重要因素的其它存储器(DRAM、闪存等)中,串行接口已经取代了并行接口;
在SRAM市场中一直处于小众地位,在空间非常有限的特定应用中,它们一直是低功耗、小尺寸替代方案;

Microchip代理商logoMicrochip Technology Inc.是全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商,以下产品为串行Serial SRAM存储芯片,属于静态随机存储器芯片,产品的容量范围为128Kbit/256Kbit/512Kbit/32/64Mb,最大容量为64Mb,电压范围在1.8V/3V/3.3V.,封装为8-SOIC TSSOP-8,速度在20/130Mhz,我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 容量 电压(V) 速度(MHz) 温度范围 封装 PDF
23A1024 1Mb 1.7 - 2.2V 20 -40℃ to +125℃ SOIC, PDIP, TSSOP 联系我们
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