DDR1 SDRAM
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同步动态随机存储器芯片(Double Data Rate SDRAM)同步动态随机存储器芯片(Double Data Rate SDRAM)

为双信道同步动态随机存取内存,是新一代的SDRAM技术。
别于SDR(Single Data Rate)单一周期内只能读写1次,DDR的双倍数据传输率指的就是单一周期内可读取或写入2次。
在核心频率不变的情况下,传输效率为SDR SDRAM的2倍
UniIC代理商logo西安紫光国芯的核心业务是存储器设计开发,自有品牌存储器产品量产销售,DDR SDRAM或双倍数据速率同步动态随机存取存储器是在计算机和消费电子中广泛使用的存储器。它通过在时钟信号的上升沿和下降沿处理数据的技术,实现了比单倍数据速率SDRAM更高的带宽。以下产品容量为1Gb,电压为2.5V,提供PG-TFBGA-60和TSOPII-66封装形式。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 容量 位宽 电压(V) 封装 速度 温度 PDF
SCB25D1G800AF 1Gb 128x8 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 联系我们
SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 联系我们
SCB25D1G800AE 1Gb 128x8 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 联系我们
SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 -40 ℃ ~ 85 ℃ 联系我们
SCB25D1G800AE 1Gb 128x8 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 0℃~ 70 ℃ 联系我们
SCB25D1G160AE 1Gb 64x16 2.5V TSOPII-66 DDR-266/333/400 0℃~ 70 ℃ 联系我们
SCB25D1G160AF 1Gb 128x8 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 0 ℃~ 70 ℃ 联系我们
SCB25D1G800AF 1Gb 64x16 2.5V PG-TFBGA-60 DDR-266/333/400 0 ℃~ 70 ℃ 联系我们
备注:如需了解更多关于产品资讯,请联系我们 0755-2372 3970,我们竭诚为您服务。