非易失性存储器芯片（NV SRAM）
NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量，存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致
标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同
无需担心存储数据分区问题，数据存储位置与标准SRAM相同。
NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量，存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致
标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同
无需担心存储数据分区问题，数据存储位置与标准SRAM相同。
Vilsion Technology Inc.是一家为汽车，通信，数字消费，工业，医疗和物联网设计，开发和销售高性能集成电路的领导者。以下是非易失性随机存取存储器（NV-RAM），容量为128Kb~16Mb，读取速度为40MHz,104MHz 25ns, 35ns以及45ns。无限读写，具有高可靠性，提供44TSOP,48BGA，8-DFN，16-SOIC封装，工作电压为3.3V。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。| 型号 | 容量 | 位宽 | 温度 | 电压(V) | 速度 | 封装 | 包装 | 状态 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VTI8P016N08M | 16Mbit | 2M x 8 | C,I | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8P016N16M | 16Mbit | 1M x 16 | C,I | 3.3 | 35ns | 54TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8P004N08M | 4Mbit | 512K x 8 | C,I,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8P004N16M | 4Mbit | 256K x 16 | C,I，E,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8S004N00M | 4Mbit | 512K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8P001N16V | 1Mbit | 64Kx16bit | C,I | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray | MP | 联系我们 |
| VTI8P001N08M | 1Mbit | 128K x 8 | C,I,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8P001N16M | 1Mbit | 64K x 16 | C,I，E,A | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8S001N00M | 1Mbit | 128K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8Q001N00M | 1Mbit | 128K x 8 | C,I | 3.3 | 40MHz/104MHz | 16-SOIC | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8P256N08M | 256Kbit | 32K x 8 | C,I | 3.3 | 35ns | 44TSOP,48BGA | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8S256N00M | 256Kbit | 32K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
| VTI8S128N00M | 128Kbit | 16K x 8 | I,A | 3.3 | 40MHz | 8-DFN | Tray,T&R | MP | 联系我们 |
