产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱:
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
行业案例
行业案例
>
资讯动态
>
行业案例
主页 >
案例&资讯
›
行业案例
›
列表
中国发展存储产业的合作伙伴是Intel?
国内目前确定要全力发展的存储芯片首先是闪存,国家队代表就是紫光在武汉的长江存储科技,由于内存产业开发难度大,所以一开始是计划寻求国外公司合作的。
2018-03-28
查看详情 >
RRAM芯片的优势
RRAM不是目前唯一的存储器改进。将来可以与NAND和DRAM对抗的其他形式的非易失性存储器包括Everspin的磁阻RAM(MRAM)和相变存储器(PCM),这是三星和美光正在追求的存储器类型。还有赛道存储器
2018-03-27
查看详情 >
SSD价格不降反升
SSD刚刚开始有点供过于求的迹象,三星的工厂上周由于意外停电导致6千片晶圆报废,目前看来降价的美梦是破灭了。其实在2017年,涨价势头更猛的其实是内存,且到目前为止,内存价格依然没
2018-03-27
查看详情 >
RRAM和3D NAND性能介绍
在存储器性能和存储容量方面来说,RRAM和3D NAND都代表着一个巨大的飞跃。和今天的平面NAND闪存相比,Crossbar的RRAM确保了20倍的写性能和10倍的耐久性。Minassian说,像3DNAND一样,RRAM存储器进行芯
2018-03-26
查看详情 >
两种新型存储器技术谁更胜一筹?
三星宣布其正在批量生产三维(3D)垂直NAND(V-NAND)芯片;接着创业公司Crossbar表示已经创建了一个电阻随机存取存储器(RRAM)芯片的原型。
2018-03-26
查看详情 >
可穿戴设备选择适当的应用处理器或微控制器
除了需要应用处理器的高级信息娱乐设备之外,MCU完全可以满足大多数可穿戴设备的需求。此外,最新MCU可在单个芯片中集成大部分功能。这对于降低可穿戴设备的整体尺寸和BOM成本都有至关重
2018-03-23
查看详情 >
519条
上一页
1
..
68
69
70
71
72
73
74
75
76
..
87
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009