产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
Serial RAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱:
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
行业案例
行业案例
>
资讯动态
>
行业案例
主页 >
案例&资讯
›
行业案例
›
列表
NAND Flash和NOR Flash的区别
1 1接口差别NOR Flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以直接和CPU相连,CPU可以直接通过地址总线对NOR Flash进行访问,可以很容易
2020-10-30
查看详情 >
铁电随机存储器FRAM和磁性随机存储器MRAM
新型的存储器既具有RAM的优点,又有非失易失性特征,同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。铁电随机存储器(FRAM)FRAM的核心
2020-10-28
查看详情 >
断电也能保存MRAM技术精髓
内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少,但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的,一旦没有持续的
2020-10-26
查看详情 >
几种非易失性存储器的比较
SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源(如电池)供电时,他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的
2020-10-21
查看详情 >
非易失性MRAM及其单元结构
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存,作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者,但
2020-10-19
查看详情 >
铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
FRAM与SRAM互相代替时,需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别,并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时,重要的是要了解所使用的FRAM版本。
2020-10-15
查看详情 >
524条
上一页
1
..
39
40
41
42
43
44
45
46
47
..
88
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009