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铁电RAM与串行SRAM替换时需要考虑的因素
FRAM与SRAM互相代替时，需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别，并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预防措施时，重要的是要了解所使用的FRAM版本。
2020-10-15
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疫情之下，加速国产MCU替代
目前国产MCU正在逐步实现中低端领域的进口替代，相对于以往基本都是国外品牌的现象，如今包括在消费电子、工业控制等应用市场已出现了不少国产MCU身影。
2020-10-13
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选择MRAM最佳测试算法
嵌入式内存测试和修复的挑战是众所周知的，包括最大程度地扩大故障覆盖范围以防止测试失败以及使用备用元件来最大程度地提高制造良率。随着
2020-10-10
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FRAM低功耗设计使写非易失性数据操作消耗更少的功耗
FRAM器件消耗的工作电流大约是EEPROM的1 3，而FRAM的待机 睡眠电流规格与EEPROM的待机 睡眠电流规格差不多。有功电流中的差异对功耗产生巨
2020-09-30
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Everspin MRAM替换FRAM
可靠性考虑比较FRAM架构采用铁电材料作为存储器件，这些材料具有一个固有的电偶极子，该偶极子在外部电场的作用下转换为相反的极性。 FRAM
2020-09-28
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为高性能FPGA平台选择合适的存储器
从纯技术角度考虑两个最广泛使用的DRAM选项-同步DRAM（SDRAM）和减少延迟的DRAM（RLDRAM）。SDRAM tRC在过去10年中没有实质性的发展，约为
2020-09-25
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