产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
行业案例
行业案例
>
资讯动态
>
行业案例
主页 >
案例&资讯
›
行业案例
›
列表
具有纠错码(ECC)的8Mb高速低功耗异步SRAM
ISSI基于纠错的8Mb高速低功耗异步SRAM这种创新设计加强了ISSI对具有最高质量和性能的SRAM的长期承诺。该行业首款基于纠错码(ECC)的异步SRAM
2021-07-13
查看详情 >
富士通4Mbit串行FRAM对EEPROM的兼容性更高
富士通半导体MB85RS4MT是一款4MbitFRAM，在富士通FRAM非易失性存储器的串行接口系列中具有最高的密度。在不断变化的环境中，随着传感器信息
2021-07-09
查看详情 >
2021年全球半导体存储器增幅最大
世界半导体贸易统计协会（WSTS）发布了截止至2021年5月的最新半导体市场预测。该机构预估，2021年全球半导体产值将达5272亿美元，将成长19
2021-07-07
查看详情 >
富士通推出8Mbit FRAM MB85R8M2T——FRAM系列中最大的内存密度
富士通半导体型号MB85R8M2T，是一款8MbitFRAM，在富士通FRAM非易失性存储器系列中具有最大的密度。MB85R8M2T具有从1 8V到3 6V的宽电源电压
2021-07-05
查看详情 >
存储器选择技巧与诀窍
对于所有基于微控制器的嵌入式系统而言，存储器都是其中的主要元件。例如开发人员需要足够的RAM以存储所有易失性变量、创建缓冲区以及管理
2021-07-01
查看详情 >
缺货，国产MCU替代风潮来临
自2020年Q3以来，因市场需求高速增长及上游原材料价格上涨等因素，公司纷纷上调产品价格。在2021第二季度就有超30家半导体企业调涨产品价格，可见缺芯引发的涨价还在持续。
2021-06-29
查看详情 >
521条
上一页
1
..
25
26
27
28
29
30
31
32
33
..
87
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
