产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
行业案例
行业案例
>
资讯动态
>
行业案例
主页 >
案例&资讯
›
行业案例
›
列表
国产SRAM芯片厂家EMI伟凌创芯
EMI伟凌创芯生产的SRAM芯片采用先进的全CMOS工艺技术制造，位宽为8 16位异步低功耗SRAM芯片，工作电压范围2 3V〜5 5V，支持商业温度-40~85
2022-02-16
查看详情 >
伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I
我司介绍一款国产SRAM芯片，EMI伟凌创芯8Mbit国产低功耗SRAM芯片EMI508NL16VM-55I采用EMI先进的全CMOS工艺技术制造。位宽512K*16,电源电压
2022-02-14
查看详情 >
SRAM和DRAM的折衷
DRAM芯片不便宜，但更贵的是与DRAM芯片的连接。芯片设计公司往往注重裸片尺寸，但芯片封装尺寸也是决定成本的一个重要因素，有时可能比裸片
2022-02-10
查看详情 >
今年Q1整体Nand Flash价格跌幅收敛至8~13%
据调查报告指出，今年Q1整体Nand Flash合约价跌幅较原先预期的10~15%，收敛至8~13%。这一罕见现象出现的原因，是采购端为规避物流风险，能
2022-01-25
查看详情 >
STT-MRAM写入速度比读取速度慢10倍
MRAM是当今进入商业生产的众多非易失性存储器技术之一。早期版本，称为切换 MRAM，已经存在了一段时间，最新的商用选项是自旋转移扭矩，或
2022-01-20
查看详情 >
内存Flash简介
内存Flash是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中，则主要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大
2022-01-18
查看详情 >
519条
上一页
1
..
15
16
17
18
19
20
21
22
23
..
87
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
