Everspin Technologies 串行MRAM具有兼容串行EEPROM和串行闪存的读/写时序，没有写入延迟，而且耐读/写能力出色。与其他串行存储器不同，这些存储器的读/写操作可以是随机的，而且没有写入延迟。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。能够运行于工业级（-40°至+85 °C）和AEC-Q100 Grade 1（-40°C至+125 °C)温度范围内，并在整个温度范围内提供高度可靠的数据存储能力。
| 型号 |
容量 |
VDDQ |
电源电压 |
速度 |
温度范围 |
包装 |
封装 |
PDF |
| MR10Q010SC |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
16-SOIC |
联系我们 |
| MR10Q010SCR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
联系我们 |
| MR10Q010CSC |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
16-SOIC |
联系我们 |
| MR10Q010CSCR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
联系我们 |
| MR10Q010MB |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
24-BGA |
联系我们 |
| MR10Q010MBR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
24-BGA |
联系我们 |
| MR10Q010CMB |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
24-BGA |
联系我们 |
| MR10Q010CMBR |
1Mb |
1.8 |
3.3v |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
24-BGA |
联系我们 |
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