产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱:
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
资讯动态
行业案例
>
资讯动态
>
资讯动态
主页 >
案例&资讯
›
资讯动态
›
列表
英特尔被起诉:芯片设计存在缺陷
英特尔公司曾试图开拓智能机处理器市场,但最终竹篮打水一场空,不仅费力还损失了数十亿美元。现在,一家巴西手机销售商又盯上了英特尔销售惨淡的移动芯片,指出部分芯片存在缺陷。
2017-11-03
查看详情 >
存储器缺货 产业链供应失衡
存储器作为电脑、智能手机、智能手表等终端产品必不可少的元器件之一,它的缺货将会导致整个产业链供应失衡,终端产品也将面临着无货可用的局面。加之下半年又是终端产品上市的高峰期
2017-10-31
查看详情 >
存储器涨不停 谁能填补产能缺口
今年以来,发生了东芝存储器延期供货及美光台湾晶圆厂液氮泄露等事件,导致了存储器市场缺货不断,价格一路飙升。
2017-10-31
查看详情 >
SRAM,DRAM,SDRAM的比较
SRAM 是Static Random Access Memory的缩写,中文含义为静态随机访问存储器,它是一种类型的半导体存储器。
2017-10-30
查看详情 >
PROM、EEPROM、FLASH的区别
EPROM、EEPROM、FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide
2017-10-30
查看详情 >
401条
上一页
1
..
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009