ISSI用0.25微米工艺技术生产最新进的pSRAM产品，产品都是由代工服务商代为生产，以下产品为PSRAM存储芯片，属于伪静态随机存储器芯片，内部为DRAM核心外加SRAM接口，产品的容量范围为1/4/8/16/32/64Mb，常用容量为32/64Mb，电压范围在1.8V/3.3V/5V.，我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。可兼容替换ISSI/CYPRESS/Lyontek/Renesas等品牌同类别PSRAM产品。| 型号 | 容量 | 位宽 | 电压(V) | 速度(ns) | 封装(Pins) | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IS66WVE4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | TFBGA(48) | 联系我们 |
| IS66WVC4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66/67WVC4M16EALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66/67WVC4M16ECLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66WVD4M16ALL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66/67WVE4M16EALL/EBLL/ECLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 联系我们 |
| IS66/67WVE4M16TALL/TBLL/TCLL | 64Mb | 4Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 联系我们 |
| IS66/67WVC2M16EALL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66/67WVC2M16ECLL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66/67WVE2M16EALL/EBLL/ECLL | 32Mb | 2Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 联系我们 |
| IS66/67WV1M16EBLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | mBGA(48) | 联系我们 |
| IS66/67WVC1M16EALL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66WVD1M16ALL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V | 70 | VFBGA(54) | 联系我们 |
| IS66/67WVE1M16EALL/EBLL/ECLL | 16Mb | 1Mx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 联系我们 |
| IS66/67WV51216EBLL | 8Mb | 512Kx16 | 1.7-1.95V | 70 | TSOP2(44),mBGA(48) | 联系我们 |
| IS66/67WVE51216EALL/EBLL/ECLL | 8Mb | 512Kx16 | 1.7-1.95V/ 2.7-3.6V | 70 | TFBGA(48) | 联系我们 |
