低功耗LPSRAM
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低功耗存储器芯片(LOW POWER SRAM)低功耗静态存储器(LOW POWER SRAM)

低功耗SRAM芯片作为静态随机存储器的一种类别;
特征为功耗低,速度快,一般容量在1/4/8/16
16Mbit:
属于易失性存储芯片,掉电后数据会产生丢失:
主要应用于内置电池,并对功耗非常敏感的产品,如POS机,手持设备等:

Renesas代理商LOGORenesas 瑞萨电子通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够增强人们的安全和安全生活方式,以下产品为低功耗SRAM芯片,属于静态随机存储器芯片,产品的容量范围为1/4/8/16Mb,常用容量为8Mb,电压范围在1.8V/3.3V/5V.,部分器件有宽电压的电压范围,速度在44/55/75ns,产品在选择速度时一般以55ns为主。我司可根据客户不同的产品需求推荐性价比高且实用的产品。
型号 容量 位宽 封装 存取时间 电压(V) 操作温度 PDF
R1LP0108ESN-7SI 1Mb x 8 SOP(32) 70 4.5 to 5.5 -40°C to 85°C 联系我们
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R1LV1616HSA-5SI 16Mb x 8 / x 16 TSOP(48) 55 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 联系我们
R1LV0108ESN-7SR 1Mb x 8 SOP(32) 70 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 联系我们
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R1WV3216RBG-7SR 32Mb x 16 FBGA(48) 70 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 联系我们
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R1LV1616RSA-5SI 16Mb x 8 / x 16 TSOP(48) 55 2.7 to 3.6 -40°C to 85°C 联系我们
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R1LV1616RSD-7SR 16Mb x 8 / x 16 µTSOP(52) 70 2.7 to 3.6 0°C to 70°C 联系我们
R1LP5256ESA-5SR 256Kb x 8 TSOP(28) 55 4.5 to 5.5 0°C to 70°C 联系我们
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R1LV0408DSA-5SI 4Mb 512K x 8 STSOP 55 3 -40℃ to 85℃ 联系我们
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RMLV0816BGSD-4S2 8Mb x 8/x 16 µTSOP(52) 45 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 联系我们
RMLV0816BGSB-4S2 8Mb x 16 TSOP(44) 45 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 联系我们
RMLV0816BGSA-4S2 8Mb x 8/x 16 TSOP(44) 45 2.7 to 3.6 -40℃ to 85℃ 联系我们
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