Everspin Technologies 并行MRAM具有兼容SRAM的35ns读/写周期,并拥有出色耐久性。与其他串行存储器不同,这些存储器的读/写操作可以是随机的,而且没有写入延迟。对于MRAM来说,数据保持期长达20年以上而不会丢失,并会在掉电时由低压抑制电路自动提供保护,以防止在非工作电压期间写入。 Everspin MRAM可以说是理想的存储器解决方案。并且都与串行EEPROM、闪存和FeRAM产品兼容。
型号 |
容量 |
位宽 |
封装 |
电压 |
温度 |
MOQ(pcs) /Tray |
MOQ(pcs) /T&R |
PDF |
MR4A08BCMA35 |
16Mb |
2Mx8 |
48-BGA |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
480 |
2500 |
联系我们 |
MR2A16AYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
MR2A16ACYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +85℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
MR2A16AVYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
-40℃ to +105℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
MR2A16AMYS35 |
16Mb |
256Kx16 |
44-TSOP |
3.3V |
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270 |
1500 |
联系我们 |
MR4A08BYS35 |
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44-TSOP |
3.3V |
0℃to +70℃ |
270 |
1500 |
联系我们 |
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联系我们 |
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2000 |
联系我们 |
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联系我们 |
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联系我们 |
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联系我们 |
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联系我们 |
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联系我们 |
MR256D08BMA45 |
256Kb |
32Kx8 |
48-BGA |
3.3VDD, 1.8IO |
0℃to +70℃ |
696 |
2000 |
联系我们 |
备注:如需了解更多关于产品资讯,请联系我们 0755-2372 3970,我们竭诚为您服务。