产品中心
静态随机SRAM
低功耗LPSRAM
串行Serial SRAM
异步快速Async Fast
国产SRAM芯片
伪静态随机pSRAM
Parrallel pSRAM
SPI pSRAM
磁性非易失MRAM
Serial MRAM
Parellel MRAM
xSPI STT-MRAM
Quad Serial MRAM
DDR3/DDR4 ST-MRAM
铁电存储器FeRAM
FeRAM
非易失性NV-SRAM
Cypress
VTI
同步动态SDRAM
SDR SDRAM
DDR1 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR3 SDRAM
Mobile SDRAM
内存Flash
Nand Flash
EEPROM
SPI NAND Flash
SPI Nor Flash
多制层芯片MCP
Nand MCP
eMCP
Microcontroller
定制单片机MCU
32位单片机MCU
案例&资讯
行业案例
资讯动态
关于我们
关于宇芯
组织架构图
联系我们
联系我们
邮箱：
sales@wridy.com
首页
网站地图
EN
案例&资讯
行业案例
>
资讯动态
>
案例&资讯
主页 > 案例&资讯
长江存储三季度投产NAND flash
为确保今年三季度能够准时投产NAND flash，春节期间长江存储的工厂依旧在加紧建设，随着长江存储投产，中国可望打破当前三星在NAND flash行业一家独大的局面。
2018-02-27
查看详情 >
DRAM今年仍将保持三成涨幅
根据DRAMeXchange调查显示，2017年第四季的DRAM产业营收再创历史新高。从价格方面来看，受到行动式内存涨价影响，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的DRAM厂提高行动式内存报价
2018-02-26
查看详情 >
移动应用的发展催生3D NAND快闪存储器
智能手机使用者在不断研究更好的移动体验，除了提升装置的处理性能以外，还需要更大容量的储存，才足以支撑5G、扩增实境(AR)、人工智能(AI)、高解析视讯等以数据为导向的新一代应用。以
2018-02-08
查看详情 >
Flash 储存器介绍
FLASH存储器又称为闪存，是一种长寿命的非易失性的存储器，在断电情况下仍能保留所存储的数据信息，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。
2018-02-06
查看详情 >
紫光南京半导体产业基地助力我国存储器领域的发展
去年年初总投资300亿元美元的紫光南京半导体产业基地和总投资300亿元人民币的紫光IC国际城项目已经正式开工。这是紫光集团继武汉长江存储项目开工后，又一“航母级”项目拓土动工。
2018-02-05
查看详情 >
中国设计出新型态光敏感性半导体存储器
近日有研究团队基于原子级薄度的半导体研究设计出一种存储器，除了具有良好的性能，也能够在完全不需要电力辅助的情况下，用光线就能消除储存资料，团队认为这种新的存储器在系统整合
2018-02-02
查看详情 >
926条
上一页
1
..
138
139
140
141
142
143
144
145
146
..
155
下一页
在线客服
2207232297
联系电话
18926554009
