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静态随机SRAM
静态随机存储器简称SRAM,英文为:Static Random Access Memory,它是一种具有静止存取功能的内存,不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
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伪静态随机pSRAM
pseudostatic random access memory 伪静态随机存取存储器 PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小, 同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。 比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。 由SPI、Quad SPI (QPI) 和Octal SPI (OPI)几种串行接口,用于需要小型化的场合, 能够提供带宽范围从100Mbps ~ 2.128Gbps的大范围。
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磁性非易失MRAM
磁性随机存储器芯片(MRAM) 一种非挥发性的磁性随机存储器。 它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力, 以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入 Everspin MRAM其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。 Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
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铁电存储器FeRAM
铁电存储器芯片(Ferroelectric RAM) 铁电存储器是一种特殊工艺的非易失性的存储器,属于一种随机存取存储器, 是采用人工合成的铅锆钛(PZT) 材料形成存储器结晶体 速度快,能够像RAM一样操作,读写功耗极低
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非易失性NV-SRAM
非易失性存储器芯片(NV SRAM) NVSRAM可提供16kb至16Mb的存储容量,存取时间高达70ns。读、写接口均与SRAM保持一致 标准Vcc条件下NVSRAM与同等速度SRAM的操作完全相同 无需担心存储数据分区问题,数据存储位置与标准SRAM相同。
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同步动态SDRAM
DRAM 同步动态随机存储器 SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步动态随机存储器
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内存Flash
Flash内存即Flash Memory,全名叫Flash EEPROM Memory,又名闪存,是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器
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多制层芯片MCP
MCP 芯片 Mcp Multi-Chip-Package即多制层封装芯片
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Microcontroller
单片机即单片微型计算机,是把中央处理器、存储器、定时/计数器、输入输出接口都集成在一块集成电路芯片上的微型计算机。 它的最大优点是体积小,可放在仪表内部,但存储量小,输入输出接口简单,功能较低。 32位用于网络操作、多媒体处理等复杂处理的场合,一般要使用嵌入式操作系统。
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