FeRAM和ReRAM探索存储技术

    FeRAM和 ReRAM代表了非易失性存储技术领域内的两项重要创新，旨在提供比传统存储解决方案（如 SRAM、DRAM 和 Flash）更高的性能和更小的尺寸。随着便携式系统市场在过去十多年间的迅速扩张，半导体产业对于大容量非易失性存储器（NVM）技术的兴趣日益浓厚。市场对更高效率、更快的内存访问速度及更低功耗的需求，不断推动着NVM技术的进步。据预测，全球非易失性存储器市场规模在2024年达到约945.2亿美元的基础上，到2029年将扩大至1647.9亿美元，其间将以11.76%的复合年增长率持续增长。
 
    FeRAM依赖铁电材料的独特性质进行数据存储。该类存储器以其超快的读写速度、出色的写入耐久性以及较低的功耗特性而著称。FeRAM的读写速度是纳秒级，这远超过NOR flash、EEPROM；读写次数达到10¹⁴、10¹³之多，在某种意义上相当于无限次，而EEPROM、NOR Flash一般都有次数的限制。基于这两个特点，在实时写入、掉电保护等、需要读写次数比较高的快速非易失性存储的应用场景中（如智能卡、计量设备以及汽车中的事件数据记录仪），FeRAM有着不可替代的绝对优势。同时，FeRAM也可以替换EEPROM、SARM以及MRAM。
相比之下，ReRAM则利用材料电阻状态的变化来保存信息，通过电流调整特定材料（例如氧化铪）的电阻特性。在功能上，ReRAM类似于EEPROM规格，但内存容量更大、读出功耗更低、尺寸更小，非常适合于助听器等小型的电池驱动的可穿戴器件应用。
 
    近年来，ReRAM在全球范围内受到了极大的关注，虽然ReRAM技术已经出现在一些芯片制造商的路线图中，并且已有公司已经开始布局ReRAM相关的产品和服务，但是要实现大规模商用还需要克服一定的技术和市场挑战。


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