ISSI代理带SQI接口串行SRAM芯片IS62WVS5128FBLL-20NLI

ISSI型号IS62WVS5128FBLL-20NLI是4M位串口SRAM，ISSI采用低功耗CMOS技术，位宽8*512K字节。它是两个2Mb串行SRAM的双芯片堆栈。串行SRAM旨在直接与串行外设接口(SPI)连接。它还可以与MultiIOSPI接口（DualSPI和QuadSPI）连接。该器件包含一个8位指令寄存器。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI该设备通过一个简单的串行外设接口(SPI)兼容串行总线进行访问。所需的总线信号是时钟输入(SCK)加上单独的数据输入(SI)和数据输出(SO)线。通过片选(CS#)输入控制对器件的访问。如果应用需要更快的数据速率，则支持SDI（串行双接口）和SQI（串行四接口）。该器件还支持对存储器阵列的无限读取和写入。
 
IS62WVS5128FBLL-20NLI可用于读取和写入的字节、页和顺序模式，支持的温度范围为工业温度-40℃至+85℃，汽车温度-40℃至+125℃，采用标准8引脚SOIC封装。
 
主要特点
•SPI兼容总线接口：
-16/20MHz时钟频率
-SPI/SDI/SQI模式
•低功耗CMOS技术：
-读取电流：3.6V、20MHz、85°C时为16mA（最大值）
-CMOS待机电流：8mA(typ)
•512Kx8位组织：
-32字节页面
•用于读取和写入的字节、页和顺序模式
•支持的温度范围：
-工业(I)：-40℃至+85℃
-汽车(A3)：-40℃至+125℃
•符合RoHS
-8引脚SOIC封装

ISSI主要是为汽车，通信，数字消费，以及工业和医疗市场设计和开发和销售高性能集成电路的技术领导者。主要产品是高速低功耗SRAM 和中低密度 DRAM。还设计和销售 NOR 闪存产品以及高性能模拟和混合信号集成电路。ISSI代理宇芯电子可提供样品测试及技术支持。

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