2021年中国大陆晶圆产能将超日本

近年来中国大陆地区晶圆产能得到了快速增长，但在产量方面仍落后于中国台湾地区，韩国和日本。
 
IC Insights按照所属地划分产能，而非公司总部。每个地区的数字都是该地区工厂的每月总装机容量，而不管拥有该工厂的公司属于哪个国家。例如韩国三星在美国上马的晶圆产能计入北美产能总量，而不计入韩国产能总量。“ROW区域”（Restofthe world）主要包括新加坡、以色列和马来西亚，但也包括俄罗斯、白俄罗斯和澳大利亚等国家和地区。
 
截至2020年12月，中国台湾地区占全球晶圆产能的21.4%，领先全球。排在第二位的是韩国，占全球晶圆产能的20.4%。中国台湾地区是8英寸晶圆产能的领先者。在12英寸晶圆方面，韩国位居前列，中国台湾地区紧随其后。三星和SK海力士继续积极扩大其在韩国的工厂，以支持其大批量DRAM和NAND闪存业务。
 
中国台湾地区在2011年超越日本后，于2015年超越韩国成为最大产能持有者。预计到2025年中国台湾地区仍将是晶圆产能最大的地区。预计该区域将在2015年增加近140万片晶圆（8英寸等效）。
 
2020年底，中国大陆占全球产能的15.3%，与日本几乎持平。预计2021年中国晶圆产能将超过日本。中国大陆2010年晶圆产能占比首次超过欧洲，2016年首次超过ROW地区产能，2019年首次超过北美产能。
 
IC Insights预计中国大陆将是唯一一个在2020年至2025年期间产能的百分比份额增加的地区（增长约3.7个百分点）。虽然中国大陆主导的大型新DRAM和NAND晶圆厂的开工量预期有所减弱，但未来几年，总部设在其他国家的存储器制造商和本地半导体制造商也将有大量晶圆产能进入中国。
 
在预测期内（2021-2025），北美的产能份额预计将下降，因为该地区的大型无晶圆厂供应商行业继续依赖代工厂，主要是台湾地区的代工厂，预计欧洲的产能份额也将继续缓慢萎缩。

关键词：NAND闪存

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