ISSI 4Mbit锁存式SRAM

ISSI IS61/64WV25616LEBLL是高速，低功耗4M位锁存的静态RAM，组织为256K字乘以16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技术制造的，并实现了ECC功能以提高可靠性。
 
我们高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术（包括ECC）（SEC-DED：单错误校正-双错误检测），可提供高性能和高度可靠的SRAM设备。
 
当CS＃为高电平（取消选择）时，器件将进入待机模式，在该模式下，可以通过CMOS输入电平降低功耗。特别是在ZZ＃低的贪睡模式下的超低待机功率。
 
ALE＃引脚使能ALE＃输入为低电平来锁存地址和CS＃信号当ALE＃为高电平时，地址和CS＃锁存器处于透明状态。如果ALE＃设置为高电平，则该器件可用作异步SRAM。
 
当ALE＃为低电平时，地址和CS＃锁存器处于锁存状态。
 
该输入锁存器以简单的方式保证了地址保持时间，从而简化了读写周期。
 
IS61/64WV25616LEBLL封装在JEDEC标准的48引脚微型BGA（6mmx8mm）和44引脚TSOP（TYPEII）中。
主要特征：
•高速访问时间：12ns，15ns
•单电源
–2.4V-3.6V VDD
•具有ZZ＃引脚的超低待机电流
-IZZ = 125°C时为80uA
•每个人的错误检测和纠正
8位（字节），带有可选的ERR1 / ERR2输出引脚：
-ERR1引脚指示1位错误检测和纠正。
-ERR2引脚指示多位错误检测
•ALE＃引脚用于锁存地址和CS＃信号。
•工业和汽车温度支持
•无铅

ISSI 4Mbit SRAM型号表

型号	容量	位宽	电压	速度
IS62WV5128DBLL	4Mb	512K x 8	2.3V – 3.6V	35, 45, 55 ns
IS62WV5128DALL	4Mb	512K x 8	1.65V – 2.2V	35, 45, 55 ns
IS62WV5128ALL/BLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	55,70
IS62WV5128EALL/EBLL/ECLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	35,45,55
IS62C5128BL	4Mb	512Kx8	5V	45
IS62WV5128DALL/DBLL	4Mb	512Kx8	1.65-3.6V	45,55
IS62WV25616EALL/EBLL/ECLL	4Mb	256Kx16	1.65-3.6V	35,45,55
IS62WV25616ALL/BLL	4Mb	256Kx16	1.65-3.6V	55,70
IS62C25616BL	4Mb	256Kx16	5V	45
IS65WV5128DBLL	4Mb	512K x 8	2.3V – 3.6V	35, 45, 55 ns
IS65WV5128DALL	4Mb	512K x 8	1.65V – 2.2V	35, 45, 55 ns

关键词：SRAM